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专利号	2020100880100	专利名称	一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法
专利类型	发明专利	国际分类	C30B9/14(20060101),C30B29/46(20060101)
申请人	东华理工大学	申请地址	江西省抚州市学府路56号
发明人	柳玉辉	申请日期	2020-02-12
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:34:08
专利摘要	一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R‑MoS<Sub>2</Sub>薄膜的方法，它涉及大面积单晶3R‑MoS<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法。它是要解决现有的方法制备的3R‑MoS<Sub>2</Sub>薄膜相变时电阻率变化小的技术问题。本方法：一、以KCl、NaCl、硫类盐和钼类盐制备电解质体系；二、将基片打磨、抛光、清洗后，放入电解槽中；三、以金属钼丝为工作电极和辅助电极进行电解，然后将基片洗涤、烘干，在基片表面得到单晶3R‑MoS<Sub>2</Sub>薄膜。本发明的方法成膜率高达100％，薄膜在绝缘体‑金属相变过程中的电阻率变化幅度达到4个多数量级，可用于光电、红外和气体传感领域。

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