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一种复合介电薄膜及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2018114576113
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2018114576113 | 专利名称 | 一种复合介电薄膜及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C08L 27/16 (2006.01);C08J 7/06 (2006.01);C23C 14/20 (2006.01) |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 江西省抚州市学府路56号 |
| 发明人 | 金天翔 | 申请日期 | 2018-11-30 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-10 15:07:51 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种复合介电薄膜，由聚偏氟乙烯和金纳米颗粒制备成，其中，金纳米颗粒体积分数为0.01～0.02vol％，其余为聚偏氟乙烯，以聚偏氟乙烯作为绝缘保护层，金纳米颗粒为中间层，构成聚合物‑金属‑聚合物三明治结构。制备方法如下：取聚偏氟乙烯树脂加入到溶剂中溶解均匀形成聚偏氟乙烯溶液；将聚偏氟乙烯溶液均匀涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜；将PVDF薄膜置于离子溅射仪或磁控溅射镀膜仪中进行单面镀金处理；将镀金后的薄膜置于模腔中，镀金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后从模具上剥离即得PVDF/金纳米颗粒复合介电薄膜。本发明的复合介电薄膜介电常数较高，介电损耗较低，机械性能优异，尤其是断裂伸长率，适合工业化生产。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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