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一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2018112481246
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2018112481246 | 专利名称 | 一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01J9/02,H01J9/12,H01J29/04 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号 |
| 发明人 | 邹继军 | 申请日期 | 2018-10-25 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:33:45 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，在该衬底层上顺序生长Al组分由低到高呈线性递增的n型变带隙AlGaAs电子提供层、n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层、Al组分由高到低呈线性递减至0的p型变带隙AlGaAs电子发射层、p型GaAs电子发射层以及As保护层；在变带隙AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2绝缘层；刻蚀得到变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层，再制备Ti/Pt/Au电子注入层电极；最后Cs/O激活，在变带隙AlGaAs阵列发射层上沉积Cs‑O激活层，形成负电子亲和势电注入阴极。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场，实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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