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一种GaN中子探测器用的大面积厚膜LiF中子转换层制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2018105338031
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2018105338031 | 专利名称 | 一种GaN中子探测器用的大面积厚膜LiF中子转换层制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G01T3/08,C23C14/30,C23C14/06,C23C14/18,C23C14/58 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 江西省抚州市市辖区抚州市学府路56号 |
| 发明人 | 朱志甫 | 申请日期 | 2018-05-29 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:33:38 |
| 专利摘要 | 本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，包含以下步骤：将GaN衬底进行表面处理；在GaN的正表面沉积Au，形成正面Au电极；利用光刻工艺和湿法腐蚀获得凹坑型GaN图形化Au电极；将凹坑型GaN图形化Au电极放置于真空镀膜设备中并加热GaN衬底；前期蒸镀采用低速率蒸镀6LiF，后期采用高速率蒸镀满足厚度要求的6LiF中子转换层。本发明制备的GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层，具有制备转换层的面积大和厚膜，晶体质量好，不脱落，中子探测效率高和灵敏度高等优点，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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