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专利号	2017100955868	专利名称	一种p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/18,H01L21/02,H01L31/117,H01L31/0304
申请人	东华理工大学	申请地址	江西省抚州市学府路56号
发明人	朱志甫	申请日期	2017-02-22
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:33:26
专利摘要	本发明公开一种p‑GaN/i‑GaN/n‑BN中子探测器，该中子探测器由Al2O3衬底层、n‑BN层、i‑GaN层、p‑GaN层组成。其制备方法如下：在一定厚度的Al2O3衬底上，利用金属有机物化学气相沉积技术先生长n‑BN，而后生长未掺杂的i‑GaN，最后生长p‑GaN，再用感应耦合等离子体刻蚀出n‑BN，最后用电子束蒸发在n‑BN和p‑GaN层分别蒸镀欧姆接触金属电极，完成中子探测器的制作。本发明制备工艺简单、无需单独制备中子转换层，能量分辨率高、探测效率高且结构简单，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。

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