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一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2017100955980
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2017100955980 | 专利名称 | 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/0304,H01L31/118,H01L31/18 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 江西省抚州市学府路56号 |
| 发明人 | 汤彬 | 申请日期 | 2017-02-22 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:33:25 |
| 专利摘要 | 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场，当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对，该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动，有利于收集效率的提高和漏电流的减小，从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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