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专利号	2016111077542	专利名称	一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法
专利类型	发明专利	国际分类	C30B29/16,C30B1/00
申请人	东华理工大学	申请地址	江西省南昌市经开区广兰大道418号
发明人	卜毅	申请日期	2016-12-06
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:33:23
专利摘要	本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO2/Si、Si3N4/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长。实验基片生长面经过严格的抛光处理，将反应源五氧化二钒粉末均匀的放置在石英舟底部，再将实验基片放入到石英舟里，基片生长面朝下放置。在管式炉真空环境中通过控制升温速率、温度、气压以及气体流量大小和反应时间制备得到大面积单晶二氧化钒薄膜。采用这种方法制备出来的大面积单晶二氧化钒薄膜比一般的二氧化钒薄膜其性能优异很多，而且工艺简单、成膜质量高；制备出的单晶二氧化钒薄膜绝缘体‑金属相变后，电导率变化幅度达到4～5个数量级，是一种单晶材料的薄膜，在光电、红外、气体传感等方面具有广泛的应用前景。

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