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一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
202310042693X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 202310042693X | 专利名称 | 一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C30B 29/12 (2006.01),C30B 7/08 (2006.01) |
| 申请人 | 临沂大学 | 申请地址 | 山东省临沂市兰山区工业大道北段西侧 |
| 发明人 | 申请日期 | 2023-01-28 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:29:17 |
| 专利摘要 | 本发明公开一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法，属于高能粒子/射线探测技术领域。本发明涉及的闪烁晶体的化学式为：MA<subgt;3</subgt;Bi<subgt;2</subgt;(Cl<subgt;x</subgt;Br<subgt;y</subgt;I<subgt;1‑x‑y</subgt;)<subgt;9</subgt;，其中，MA<supgt;+</supgt;＝CH<subgt;3</subgt;NH<subgt;3</subgt;<supgt;+</supgt;，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。本发明晶体具有纳秒、亚纳秒量级的衰减时间，具有400‑500nm，600‑700nm两个主发射带，可以制成闪烁晶体器件，用于超快闪烁探测器；本发明提供的晶体生长方法，所需条件易于实现，操作简单，且生长体系中不含目标晶体以外的异质元素，且原料易得，价格便宜，生长条件温和。本发明闪烁晶体还可以用作半导体晶体，用于发光二极管、半导体型光电探测器等领域。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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