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专利号	2018112730747	专利名称	一种逆导双极型晶体管
专利类型	发明专利	国际分类	H01L29/739,H01L29/06,H01L29/40
申请人	广州工商学院	申请地址	广东省广州市花都区狮岭镇海布
发明人	许晓慧	申请日期	2018-10-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:12:07
专利摘要	本发明公开了一种逆导双极型晶体管，属于半导体器件技术领域，本发明相比于传统逆导IGBT结构，在集电极侧设置了集电极侧部分超结结构和集电极短路沟槽结构，同时移除了N‑缓冲层结构。在反向导通状态下，集电极侧部分超结的横向耗尽使得P‑柱发生穿通效应，触发NPNP晶闸管开启以实现逆导。在正向导通下，集电极侧部分超结横向扩散形成电势势垒层、集电极短路沟槽结构作为介质阻挡层，二者共同作用使得电子存储在P‑集电区/N‑柱结附近，直至该PN结导通，极大抑制了snapback现象。同时，本发明有效地利用了P‑集电区的面积，获得了导通压降的降低。本发明的有益效果为，在不明显影响器件其他性能的前提下，有效地抑制了snapback现象，且获得了低功率损耗。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件