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专利号	2009100240343	专利名称	用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01B12/00,C04B35/50,C30B29/22
申请人		申请地址	陕西省西安市长安南路199号
发明人		申请日期	2009-09-25
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:11:19
专利摘要	一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，由配制Gd2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Gd2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得整个熔渗生长过程仅需Gd2BaCuO5和BaCuO2两种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用了Yb2O3制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

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