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专利号	2020115729842	专利名称	一种二维Ni-Ir多孔纳米片及其制备方法与应用
专利类型	发明专利	国际分类	C25B11/075(2021.01),C25B11/054(2021.01),C25B1/04(2021.01)
申请人		申请地址	210000江苏省南京市鼓楼区宁海路122号
发明人	唐亚文	申请日期	2020-12-24
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:06:12
专利摘要	本发明公开了一种二维Ni‑Ir多孔纳米片及其制备方法与应用，以镍氰化物、铱盐作为前驱体，经过油浴热制得二维层状结构的Hoffman型配合物前驱体，再经过高温煅烧氧化后，在特定的电化学窗口下还原得到一种二维Ni‑Ir多孔纳米片。与传统制备方法相比，本发明方法工艺操作简单，用去离子水即可除去溶液中的杂离子，煅烧氧化过程不会释放温室气体，电化学还原过程干净环保无污染。本发明方法制备得到的二维Ni‑Ir多孔纳米片纯度极高，具有比表面积大，活性位点多，电子传导性好，结构稳定等优点，对析氧展现出优异的电催化活性。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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