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一种间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法

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专利号 2019113083560 专利名称 一种间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法
专利类型 发明专利 国际分类 A01H4/00(2006.01)
申请人 申请地址 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路1号
发明人 申请日期 2019-12-18
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:03:09
专利摘要 本发明公开了一种间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,包括如下步骤:种子萌发:将金钗石斛种子无菌播种到固体培养基上进行萌发培养;原球茎增殖培养:将萌发的种子无菌转接到原球茎增殖固体培养基上进行原球茎增殖培养;液体适应性培养:将培养得到的原球茎无菌接种到液体培养基中培养;间歇浸没培养:将完成适应性培养且无污染原球茎连同液体培养基一起倒入间歇浸没培养生长室中,进行间歇浸没培养。本发明间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,具有培养周期短、移栽成活率高、自动化程度高、劳动力消耗少等优点,尤其是在间歇浸没培养过程中不移动组培苗,而是更换培养液,组培苗不受伤害,显著提高生产效率和培养质量。

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