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一种Ag(V,Nb)/稀土晶体硅太阳电池合金浆料及其制备方法

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专利号 2014101611642 专利名称 一种Ag(V,Nb)/稀土晶体硅太阳电池合金浆料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01B1/16,H01B1/22,H01B13/00,H01L31/0224
申请人 Yuze Semiconductor Co Ltd 申请地址 陕西省西安市咸宁西路28号
发明人 王鹤;杨宏;姜云 申请日期 2014-04-18
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-10 15:07:51
专利摘要 一种Ag(V,Nb)/稀土晶体硅太阳电池合金浆料及其制备方法,按质量份数计包括,玻璃粘结剂0.1-0.4份,超细银粉7.5-8份,超细VO<sub>2</sub>粉末和超细Nb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末的混合物0.2-0.5份,稀土粉末0.1份、有机粘合剂1-1.4份和0.3-0.4份稀释剂。本发明采用含有低接触势垒金属V、Nb的纳米Ag合金制备晶体硅太阳电池发射极的电极,通过加入微量稀土,提高该层的导电性能和粘结性能,在银浆中掺入的稀土元素与Ag形成较低温度的共融体,制备成太阳电池并进行测试,结果表明减小了丝网印刷银浆与硅基底的接触电阻,增强了电极附着力,并减小了金属银的消耗,提高了晶体硅太阳电池效率,降低了电池成本。

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转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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企业组织机构代码证
身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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