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一种晶体生长过程高宽比控制方法

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专利号 2019107293453 专利名称 一种晶体生长过程高宽比控制方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B7/08,C30B29/14
申请人 江南大学 申请地址 江苏省无锡市蠡湖大道1800号
发明人 潘丰 申请日期 2019-08-08
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:59:56
专利摘要 本发明公开了一种晶体生长过程高宽比控制方法,属于生产过程控制领域。晶体生长系统包括生长装置、控制装置和基于视觉的尺寸检测装置。直流伺服电机带动载晶架顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止,循环运行。旋转停止时通过视觉系统在线检测晶体的尺寸,调节载晶架顺时针和逆时针旋转圈数、速度、停止时间,对生长晶体的高宽比进行控制,使成品晶体的高宽比接近1:1。本发明方法提高了大尺寸磷酸二氢钾晶体的质量。  

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转让材料

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