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一种人工磁导体结构

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专利号 201911230963X 专利名称 一种人工磁导体结构
专利类型 发明专利 国际分类 H01Q15/14(20060101)
申请人 宁波大学 申请地址 浙江省宁波市江北区风华路818号
发明人 华昌洲 申请日期 2019-12-05
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:00:05
专利摘要 本发明公开了一种人工磁导体结构,包括介质基板和设置在介质基板上方的辐射层,介质基板的材料为树脂,辐射层包括由m×n个辐射单元按照m行n列排布形成的辐射阵列,每个辐射单元分别包括长方体形状的辐射块,辐射块的材料为树脂,辐射块上设置有下端开口的辐射腔,辐射腔内充满水,介质基板内设置有设置有长方体形状的空腔,空腔内充满水;优点是介质基板和辐射层均采用树脂材料,结构简单,利用当前常见的3D打印技术即可加工制作,并且配合采用成本很低,容易获取的水资源来实现同相位反射和同相位传输特性,进一步降低了成本,由此本发明加工工艺简单,加工时间较短,材料成本和加工成本均较低。

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转让材料

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身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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