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【半导体芯片制造】，瞬态电压抑制器及其制作方法（半导体芯片制造，瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件）
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2017105646856
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2017105646856 | 专利名称 | 【半导体芯片制造】，瞬态电压抑制器及其制作方法（半导体芯片制造，瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L27/02, H01L27/08, H01L29/06, H01L29/866, H01L21/265, H01L21/266, H01L21/8222, H01L21/329 |
| 申请人 | 新昌县佳良制冷配件厂 | 申请地址 | 江西省南昌市青山湖区北京东路427号10栋1单元6号附1号 |
| 发明人 | 王凯 | 申请日期 | 2017-07-12 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-26 10:13:08 |
| 专利摘要 | 本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P阱、形成于所述P阱上间隔设置的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽内的N型掺杂区域及N型多晶硅、形成于所述第一沟槽中的N型多晶硅上的第一输入电极、形成于所述第二沟槽中的N型多晶硅上的第二输入电极、及形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的P阱上的输出电极，所述P阱与第一沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第一齐纳二极管，所述P阱与第二沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第二齐纳二极管。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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