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一种新颖纳米周期阵列及其制备方法

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专利号 2018114066835 专利名称 一种新颖纳米周期阵列及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C18/44;C23C28/02;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/20;B82Y40/00
申请人 杭州电子科技大学 申请地址 浙江省杭州市江干区下沙高教园区
发明人 赵晓宇;张永军;王雅新;温嘉红 申请日期 2018-11-23
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:19:15
专利摘要 本发明属于纳米复合材料合成技术领域,具体涉及一种新颖纳米周期阵列及其制备方法。本发明克服了传统制备周期性结构的物理方法和化学腐蚀方法适用范围较小,并且不能精确地在纳米尺度设计周期阵列的图案的缺陷,创新性的利用了对局域表面等离子体的调控实现了Ag纳米粒子的特定位置的生长,并通过入射光的偏振类型和偏振角度的改变来获得不同的周期性结构。在垂直入射圆偏振光的条件下,成功制备出了六轴对称的周期性结构;在线偏振光倾斜50°入射条件下,制备出了三轴对称的纳米周期性结构。该制备方法为周期性结构的制备提供了一种新的思路,同时具有制备方法简单,能够有效的被大规模复制应用的优点。  

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