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一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法

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专利号 2018110167409 专利名称 一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/80(2006.01),C04B35/577(2006.01),C04B35/575(2006.01),C04B35/52(2006.01),C04B35/622(2006.01)
申请人 江苏科技大学 申请地址 212008江苏省镇江市京口区梦溪路2号
发明人 陈洪美 申请日期 2018-08-31
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:32:44
专利摘要 本发明公开了一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨‑碳化硅复合材料的方法,该方法将所需量的纳米碳化硅颗粒、白砂糖粉、纳米二氧化硅粉和石墨粉混合后在高温加压条件下通过碳热还原反应,制备出以石墨和碳化硅复合相为基体,碳化硅纳米线为增强体的陶瓷基复合材料。本发明制备方法制得的复合材料利用原位自生技术,在复合粉体上直接生成弥散分布的碳化硅纳米线(SiCnw)增强体,生产成本低,比单一的SiC材料和石墨材料具有更优越的耐磨性能和力学性能。

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