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一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构

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专利号 2019108346744 专利名称 一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构
专利类型 发明专利 国际分类 B01L3/00(20060101),C12M1/34(20060101),C12M1/00(20060101),H01L21/027(20060101)
申请人 张红宾 申请地址 浙江省杭州市西湖区文三路199号
发明人 张红宾 申请日期 2019-09-05
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-01 11:19:03
专利摘要 本发明提供一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构,包括上层片基和下层片基;微流控芯片经由上层片基和下层片基共同组成。当研究人员通过使用本申请文件所设计的微流控芯片完成核酸检测后,研究人员可将两组夹紧式断裂装置放置于本申请文件所设计的微流控芯片前后两端,并给予压力,使得两组夹紧式断裂装置向内夹紧,这时两组夹紧式断裂装置中的等腰三角形凸起块将给予上层片基前后两端面所开设的第一等腰三角形缺口结构压力,在等腰三角形凸起块的作用力下,第一等腰三角形缺口结构部位同纵向激光切口结构开裂,从而断裂开保留相对于上层片基底端面基于紫外激光掩模刻蚀的微型沟道部位的上层片基区域,使得微通道破损无法再次使用。

交易流程

转让材料

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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

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