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用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2016111838948
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2016111838948 | 专利名称 | 用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H |
| 申请人 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 申请地址 | 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号 |
| 发明人 | 尹晓雪;张亮 | 申请日期 | 2016-12-20 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-13 20:00:02 |
| 专利摘要 | 本发明涉及一种用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法，多层全息天线包括：半导体基片GeOI、天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环；其中，天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环均包括依次串接的GaAs基等离子pin二极管；GaAs基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在衬底表面利用MOCVD淀积GaAs层并形成隔离区；刻蚀衬底形成P型沟槽和N型沟槽并形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备；本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于多层可重构全息天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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