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一种单晶硅表面氨基硅烷-硫化钐薄膜的制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2011103755885
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2011103755885 | 专利名称 | 一种单晶硅表面氨基硅烷-硫化钐薄膜的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G02B1/00 |
| 申请人 | 陕西科技大学 | 申请地址 | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
| 发明人 | 黄剑锋;侯艳超;刘佳;曹丽云;吴建鹏;殷立雄 | 申请日期 | 2011-11-23 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-05-20 11:13:10 |
| 专利摘要 | 一种单晶硅表面氨基硅烷-硫化钐薄膜的制备方法，在二碘化钐的四氢呋喃溶液中加入EDTA得溶液B；向溶液B中加入硫脲得溶液C；用氨水调节溶液C的pH值至2.5～4.5得前驱液D；将前驱液D置于烧杯中，再将功能化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中沉积制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中干燥得硫化钐纳米薄膜。由于本发明采用液相自组装方法，制得的硫化钐纳米薄膜，均匀，致密，低缺陷，强度高，并且通过控制前驱液浓度、pH值以及沉积时间可以控制薄膜厚度和晶粒大小。这种方法制备的硫化钐纳米薄膜重复性高，易于大面积制膜。且操作方便，原料易得，制备成本较低。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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