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一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法
院校-
发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2014101252832
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2014101252832 | 专利名称 | 一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C23C14/35 |
| 申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |
| 发明人 | 叶超;王响英;张苏 | 申请日期 | 2014-03-31 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:10:11 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法，利用双靶磁控溅射装置制备，包括以下步骤：(1)安装制备双组元薄膜所需的靶材，并将清洁后的基片置入真空室中；溅射靶中心至基片台中心的距离为130mm；(2)将真空室真空抽至5×10<sup>-4</sup>Pa，然后将氩气充入真空室中，氩气的流量为30sccm，保持真空室的压力为5Pa；(3)在其中的一个靶上施加60MHz甚高频电源，调节甚高频功率为150W，在另外一个靶上添加2MHz射频电源，调节射频功率为50～250W；经过溅射在基片上制备双组元薄膜。利用射频与甚高频之间的频率解耦合性能，实现双溅射靶的离子能量分别独立控制，避免了溅射各个靶的等离子体性能（能量、密度）的接近，有利于各组元溅射的独立调控。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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