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专利号	2016101430133	专利名称	一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y40/00;C23C14/35;C23C14/16;H01L21/02;H01L29/24;B82Y30/00;C23C14/08
申请人	浙江理工大学	申请地址	浙江省杭州市下沙白杨街道2号大街5号
发明人	陈烈裕;钱银平;王坤;李小云;王顺利;李培刚	申请日期	2016-03-13
下证状态	未知	更新时间	2023-06-10 08:40:26
专利摘要	本发明涉及一种纳米线阵列及其制备方法，具体是指一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Si衬底上沉积一层金薄膜，然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒，最后在金颗粒上生长Ga2O3纳米线阵列。本发明的优点是：所制备的Ga2O3纳米线阵列分布均匀，纳米线的长径比可控；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在半导体纳米线阵列器件中得到应用。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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