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高通量压电谐振芯片制备方法及测量系统

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专利号 2016108812270 专利名称 高通量压电谐振芯片制备方法及测量系统
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/84;G01N27/26;G01N15/14;H03H9/205;H03H3/02
申请人 湖南农业大学 申请地址 湖南省长沙市芙蓉区东湖农大路1号
发明人 周铁安;沈海波;苏招红;赵文魁;潘炜松;胡家金;赵立军;徐鹏飞;张健;张琳琳;韩雪飞 申请日期 2016-10-09
下证状态 未知 更新时间 2022-09-21 08:14:05
专利摘要 本发明公开了一种高通量压电谐振芯片制备方法及其测量系统。该高通量压电谐振芯片制备方法包括一基片(108),基片上置入多个压电谐振片(101),各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成,各压电谐振片的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104),工作电极及背面电极的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接,且各压电谐振片周围使用柔性粘合层(106)连接基片。本发明不仅可消除压电谐振片之间的干扰,且可消除或大大减小安装过程中产生的应力与阻尼,从而实现稳定性高、灵敏度高、操作简便、精度较高、免标记、连续监测、无相互干扰高通量压电谐振传感器的制造。

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