近日，中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼，要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项 3D NAND技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。

　　长江存储在美起诉美光侵犯8项专利

　　长江存储称，美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的8项专利，这些专利涉及到3D NAND 存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等方面。

　　长江存储在起诉书中指出，美光在未经授权的情况下使用长江存储专利技术来与进行市场竞争，保护其市场份额，且美光未就使用上述专利支付合理费用，侵犯了长江存储的利益，遏制了后者的创新动力。

　　其还指控称，美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利，证明美光了解长江存储的专利组合非常重要，但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。

　　长江存储还在起诉书中表示，若法院未能就美光侵犯专利下达产品永久禁令，则应制定相关方案，如美光向长江存储支付专利授权费等。

　　长江存储量产第一代32层3D NAND闪存芯片

　　2018年，长江存储量产了第一代32层3D NAND闪存芯片，这款由团队历时2年研发成功的首款32 层三维NAND闪存芯片，实现了零的突破。该芯片广泛应用在工控领域。

　　2020年长江存储开发了两款128层闪存产品。

　　但2022年10月，美国政府发布出口管制条例，限制芯片制造设备向中国出口，同时在 12月，美国将长江存储列入出口管制实体清单。

　　国产存储器迈入发展新周期

　　据悉，NAND闪存和DRAM是存储芯片的两种主要类型，其中NAND 闪存可用于制造固态硬盘等存储设备。

　　闪存芯片(NAND )是东芝的舛冈富士雄博士于 1986 年发明为非易失性存储器。闪存芯片内部电路结构采用非线性宏单元模式，具备容量大，改写速度快的优点，广泛用于需要大量存储空间的电子设备，例如固态硬盘(SSD)、智能手机、记忆卡、U 盘等。

　　1992 年东芝将 NAND Flash 设计授权给三星，同年英特尔也推出了第一款 NAND闪存产品。2007 年东芝率先推出基于 BiCS 技术的 3D NAND 芯片，正式开启了3D NAND 大容量时代。

　　如今，伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。

　　此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。

　　知识产权作为企业发展的重要支撑，对企业的创新、增值和国际竞争具有不可替代的作用。企业应当加大对知识产权的保护和运用力度，增强创新能力和竞争力，推动自身良性发展。

　　中细软集团作为连接全球创新经济的元宇宙科技创新平台，由IP确权、IP交易、IP管理、IP金融四大板块构成。我们致力于通过网络科技等手段，为全球科技创新提供系统的解决方案与信息服务。您有任何知识产权问题，都可以咨询我们哦~

　　来源：IT之家、天天IP、电子技术应用ChinaAET等